设计难度最大，主要难点在于探测器带宽的提高，因为探测器的带宽受限于探测器的制作工艺。当前PD探测器所用的工艺一般是锗硅SiGe或者磷化铟INP，2种工艺在带宽的设计上也存在差异。为了不受本身工艺带宽的限制，可以用SOA和PIN的方案来替代高带宽APD。PIN管的设计很容易满足50 G 带宽需求，但是PIN管的接收灵敏度比较低，能接收的最小光功率不满足PON的应用要求，所以必须在PIN管接收前端加入一级光放大，光放大可以采用半导体光放大器SOA。SOA是运用电流受激辐射的原理放大光信号[4]，只要注入电流，就可以实现光信号的增强放大。SOA通常具有较宽的带宽[5]，可以覆盖50 G带宽的需求。为了减小接收器件的尺寸，需要将SOA芯片和PIN 芯片进行高度集成，在同一个工艺平台上进行耦合，但这种耦合工艺非常复杂。因为SOA波导尺寸很小，而PIN管接收面比较大，两者进行光学对准耦合会存在比较大的耦合损耗，从而影响信号接收的灵敏度。实现低损耗的波导耦合是一个非常大的技术难点。
5 结束语
下一代光接入网络的发展已经进入到50 G PON时代。50 G PON由于速率的提升，对于光芯片、电芯片的设计都提出了巨大的挑战。50 G PON可以使用多种技术方案，高阶调制技术可以降低光器件带宽要求，节约器件成本。传统的NRZ幅度调制技术可以延续上一代PON的技术思路，设计原理简单;高阶调制技术却增加了电芯片的设计难度; NRZ幅度调制技术则增加了光芯片的设计难度。无论选用那种技术路线，50 G PON都将寻求一种低成本、可实现的方式。